Héich Präzisioun Beryllium Kupfer Tube C17200
Entwéckelt héich Präzisioun Beryllium Kupfer nahtlos Päif fir 5G Basisstatioun.Am Moment ass et deen eenzegen Heemhersteller vu qualitativ héichwäerte Beryllium Kupfer nahtlos Päif mat stabiler Qualitéit a Masseversuergung.De baussenzegen Duerchmiesser kann 1,0 ~ 25mm sinn an d'Mauerdicke ass 0,08 ~ 6mm, D'Toleranz kann op ± 0,01mm korrekt sinn.D'Firma regelméisseg Versuergung vun 2.0 * 1.6 2.0 * 1.8 3.5 * 3.2 3.95 * 3.65 an aner héichpräzis Beryllium Kupfer nahtlos Päifen goufen wäit an 5G Basisstatioun Ausrüstung wéi Huawei, ZTE an Nokia benotzt.
1. Chemesch Zesummesetzung vun C17200 Tube
| Modell | Be | Ni + Co | Ni + Co + Fe | Al | Si | Cu |
| C17200 | 1,8-2,0 | ≥0,20 | ≤0,6 | ≤0.2 | ≤0.2 | Rescht |
2. Kierperlech Eegeschafte vun C17200 Tube
| Staat | Tensile Stäerkt | Yield Kraaft | Rockwell Hardness | 4 × DA | Elektresch Konduktivitéit | ||
| Mpa | 0,2%, MPa | B | Verlängerung | IACS,% | |||
|
|
|
| min% |
| |||
| TB00 | Solid Solution Wärmebehandlung (A) | 410-590 | 140 | 45-85 | 20 | - | |
| TD04 | Hardening Staat (H) | Duerchmiesser ＜10 mm | 620-900 |
| 88-103 |
|
|
|
|
|
| |||||
| Duerchmiesser: 10-25 mm | 620-860 |
| 88-102 | 8 | >17 | ||
| Duerchmiesser 25-75 mm | 590-830 | 520 | 88-101 |
|
| ||
| Staat | Tensile Stäerkt | Yield Kraaft | Rockwell Hardness | 4 × DB | Elektresch Konduktivitéit | ||
| Mpa | 0,2%, MPa | B | Verlängerung | ||||
|
|
|
| min% | ||||
| TF00 | Wärmebehandlung vun Depot (AT) | 1140-1380 | 1000 | 36-42 | 4 | - | |
| TH04 | Hardening & Deposit Heat Treatment of Settlement (HT) | 1240-1580 | 1070 | 38-44 | 2 | >22 | |
3. Charakteristesch vun C17200 Tube
Héich Kraaft, héich Konduktivitéit, héich Middegkeetsbeständegkeet, héich Verschleißbeständegkeet, net magnetesch
4. Applikatioun vun C17200 Tube
Et gëtt haaptsächlech fir 5G Basisstatioun, Koaxialstecker, Photomultiplikatorröhre, Héichpräzisinstrument, Militär Raumfaart benotzt.